SiC Wafer

 SiC wafer Process 
 Lapping
 Grinder
 DSP & CMP

 Measurement & monitor
THK/TTV/Bow/Warp 透過光學方法測量晶圓特性
Candela 8520 檢測缺陷和顆粒
ICP-MS 測量金屬濃度
EIR 與 C-V測量 SiC 外延晶圓的厚度和載流子濃度
HT-KOH檯面監測缺陷

Cleaning
具有超音波的濕式工作台，用於Class-1000的後處理清潔
半導體級自動濕式工作台，用於Class-10的最終清潔
 
以上設備均兼容 6” &  8”SiC
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